全球半导体行业回暖新型存储器研发提速

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根据国际半导体协会(semi)发布的数据，7月份北美半导体设备的订单与发货比率(b/b值)为1.05，并连续8个月稳定在1以上，表明全球晶圆代工厂和存储设备的投资正在加速。此外，今年全球主要集成电路制造企业的资本支出呈现正增长。该机构预测，全球集成电路行业今年将触底反弹。

数据显示，从2016年到2017年，预计全球将新建19家晶圆厂。其中，10座将在中国建造，全球半导体产能正在加速向中国转移。该机构预测，到2019年，中国集成电路企业的销售增长率将保持在25%至30%。

存储器是半导体行业资本支出最高的领域，占整个行业的38%。存储器作为中国集成电路的支柱产业，目前主要依靠进口。数据显示，仅去年前三季度，中国就购买了120亿美元的dram和66.7亿美元的nand闪存，分别占全球消费量的21.6%和29.1%。存储器是中国半导体行业自给率最低的四大产品类型之一，未来将会有很大的发展。

目前，中国正在花费巨资启动国家记忆战略。今年3月，总投资240亿美元的仓储基地项目在武汉东湖高新区(600133，BUY)正式启动。据了解，该内存基地项目的主要产品是3d nand，预计到2020年将形成月产量30万片、2030年月产量100万片的生产规模。此外，紫光集团已将紫光国鑫(002049，BUY)确定为其存储平台，并为其存储战略增加了800亿元。然而，由于内存行业的门槛较高，中国很难在短时间内赶上传统内存领域的外国同行，因此新内存将成为中国弯道超车的最佳选择。

目前，内存市场的三大主流产品是dram、nand闪存和nor闪存。与非门和dram在成本和性能方面都开始显示出疲态，因此所有主要的存储器领导者都在积极开发新型存储器。

根据招商证券(600999，BUY)的研究报告，在政策的大力支持下，国内企业在记忆领域取得了长足的进步。在3d nand方面，武汉新新和斯潘松去年在存储器研发方面取得了进展，9层结构的3d存储芯片已经下线；许多国内企业和科研机构探索了新的记忆，如pcm和rram。目前，中国新存储器的专利数量已经大大超过dram和nand，与国内领先企业的差距相对较小。

去年，中国内存市场达到2842.7亿元，市场份额为54.1%。随着一系列配套政策的加快实施，集成电路行业的投资将逐年增加，存储芯片行业将迎来新的发展机遇，预计耗材、设备、封装测试等产业链上下游领域将受益。